Тензорезистор Мембрана М
Предназначен для измерения упругих деформаций вновь разрабатываемых материалов и конструкций при статических и динамических нагрузках, а также для измерения сил, ускорения, давлений, перемещения. Тензорезисторы применяются в силоизмерительных тензорезисторных преобразователях и датчиках в авиационной, ракетостроительной, машиностроительной, вагоностроительной и других индустриях.
Краткие технические характеристики
| Номинальное сопротивление, Ом | Номинальная база (длина тензорешетки), мм | |||
|---|---|---|---|---|
| 5 | 10 | 15 | 20 | |
| 100 | + | - | - | - | 
| 200 | + | + | + | + | 
| 400 | - | - | + | + | 
Класс точности: А (для прецизионных датчиков), Б (для проведения испытаний)
Коэффициент термокомпенсации: 12 (сталь), 16 (медь), 23 (алюминий), 8,3 (титан)
Исполнение: С1 (без выводов), С2 (с нестандартными выводами), С3 (без защитного покрытия), С4 (без выводов и защитного покрытия), С5 (без выводов с облуженными точками).
Клеи для наклейки тензорезисторов
| 
				 Название  | 
			
				 Характеристика  | 
			
				 Применение  | 
			
				 Температурный диапазон работ  | 
		
|---|---|---|---|
| 
				 Клей циакрин ЭО  | 
			
				 Цианокрилатный, быстросхватывающийся, холодного отверждения  | 
			
				 Склеивает металлы и непористые материалы  | 
			
				 от минус 80 до плюс 80 °С  | 
		
| 
				 Клей УВС-10ТС  | 
			
				 Фенольный однокомпонентный, горячего отверждения  | 
			
				 Применяется для наклейки тензорезисторов на металлы и различные неметаллические непористые материалы  | 
			
				 от минус 70 до плюс 300 °С  | 
		
| 
				 Клей БФР-2К  | 
			
				 Фенолоформальдегидный, однокомпонентный, горячего отверждения  | 
			
				 Применяется для склеивания металлических и неметаллических изделий  | 
			
				 Работает при температуре до 200 °С  | 
		
Параметры тензорезисторов
1. Предельное отклонение электрического сопротивления в партии (10 000 шт.): ± 1,0 %.
2. Предельное отклонение электрического сопротивления в группе (100 шт.): ± 0,2 %.
3. Максимальная измеряемая деформация, млн: ± 3000 мкм/м.
4. Чувствительность: 1,9 – 2,3.
Тензорезистор Мембрана М сертифицирован Госстандартами Украины и России.






