Мембрання розетка

Тензорезистор Мембрана М

Предназначен для измерения упругих деформаций вновь разрабатываемых материалов и конструкций при статических и динамических нагрузках, а также для измерения сил, ускорения, давлений, перемещения. Тензорезисторы применяются  в силоизмерительных тензорезисторных преобразователях и датчиках  в авиационной, ракетостроительной, машиностроительной, вагоностроительной и других индустриях.

Краткие технические характеристики

Номинальное сопротивление, Ом Номинальная база (длина тензорешетки), мм
5   10 15 20
100 + - - -
200 + + + +
400 - - + +

 

 

 

 

 

 

 

 

Класс точности: А (для прецизионных датчиков), Б (для проведения испытаний)

Коэффициент термокомпенсации: 12 (сталь), 16 (медь), 23 (алюминий), 8,3 (титан)

Исполнение: С1 (без выводов), С2 (с нестандартными выводами), С3 (без защитного покрытия), С4 (без выводов и защитного покрытия), С5 (без выводов с облуженными точками).

Клеи для наклейки тензорезисторов

Название

Характеристика

Применение

Температурный диапазон работ

Клей циакрин ЭО

Цианокрилатный, быстросхватывающийся, холодного отверждения

Склеивает металлы и непористые материалы

от минус 80

до плюс 80 °С

Клей УВС-10ТС

Фенольный однокомпонентный, горячего отверждения

Применяется для наклейки тензорезисторов на металлы и различные неметаллические непористые материалы

от минус 70

до плюс 300 °С

Клей БФР-2К

Фенолоформальдегидный, однокомпонентный, горячего отверждения

Применяется для склеивания металлических и неметаллических изделий

Работает при температуре до 200 °С

 

Параметры тензорезисторов

1. Предельное отклонение электрического сопротивления в партии  (10 000 шт.): ± 1,0 %.                                                                     

2. Предельное отклонение электрического сопротивления в группе (100 шт.): ± 0,2  %.

3. Максимальная измеряемая деформация, млн:  ± 3000 мкм/м.

4. Чувствительность: 1,9 – 2,3.

 

Тензорезистор Мембрана М сертифицирован Госстандартами Украины и России.